三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 相比，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高 12% 的性能，在相同的性能和复杂度下减少 5% 的面积。为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
继 SF2 之后，三星将在 2026 年推出针对高性能计算（HPC）优化的 SF2P，以及于 2027 年推出针对汽车应用优化的 SF2A 工艺。同样在 2027 年，该公司还计划开始使用 SF1.4（1.4 纳米级）制造工艺进行量产。三星的 2 纳米级工艺将与台积电的 N2（2 纳米级）工艺大致同步，比英特尔的 20A 工艺晚一年左右。
注意到，除了不断提升自己的工艺技术，三星代工还计划继续发展其射频技术。该公司预计其 5 纳米射频工艺技术将于 2025 年上半年准备就绪，与旧版 14 纳米射频工艺相比，三星的 5 纳米射频预计可以提高 40% 的功耗效率，提高约 50% 的晶体管密度。此外，三星还将于 2025 年开始生产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。
在扩大技术供应方面，三星代工仍然致力于扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的制造能力。三星计划于 2023 年下半年在其平泽 3 号生产线（P3）开始量产芯片。泰勒市新建厂房预计将于今年年底完工，并于 2024 年下半年开始运营。三星目前的计划是到 2027 年将其洁净室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
