一雪漏电、发热前耻！三星3nm、4nm大幅升级换代

　　5月22日消息：在晶圆代工市场，台积电保持着绝对的领先地位。不过，三星毫不掩饰自己的觊觎之心，并迫切希望有朝一日可以和台积电平起平坐甚至弯道超车。

　　据悉，三星表示将在6月11日到16日于日本举行的超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium）上，公布其新一代制程工艺，即第二代3nm和第四代4nm。

　　此前，三星的4nm口碑不佳，代表芯片Exynos 2200和骁龙8 Gen1/骁龙7 Gen1等都出现了发热、高频低能等问题，远不如同期的台积电4nm。

　　三星的SF3即3nm GAP工艺作为改良版的第二代，号称比比SF4(4nm EUV LPP)相同功耗下性能提升22%、逻辑面积缩小21%、相同晶体管和频率下能效高34%。

　　SF3的潜在产品据说会是Exynos 2500和骁龙8 Gen4.最快2024年见面。

　　至于第四代4nm，名为SF4X，号称比SF4(第二代4nm)性能提升10%、能效提升23%，主要面向高性能计算场景，看来有望争夺NVIDIA和AMD的GPU单子。