首页 > 业界 > 正文

三星:3纳米GAA制程研发进度领先台积电

时间:2021-08-26 15:36:25 来源:TECH科技资讯网 评论:0 点击:0
  台湾《经济日报》8月26日消息,据韩媒Business Korea报道,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung周三(25日)在一场网络技术论坛中表示,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。

  他说,“我们开发中的GAA技术,领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

  据报道,GAA是3纳米制程的关键。GAA技术的优点在于改变电晶体架构,将之由鳍式场效电晶体(FinFET)的3D转为GAA的4D。

文章排行榜更多
最近更新更多